Рассел Ол: відмінності між версіями

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Інтерактивний перегляд історії
(Переглянути усі неперевірені зміни)
[перевірена версія][перевірена версія]
Наступне редагування →
Вилучено вміст Додано вміст
ВізуальнийВікірозмітка
Створена сторінка: {{Науковець | ім'я = Рассел Ол | ім'я_мовою_оригіналу = Russell Ohl | зображення = | зо...
 
Немає опису редагування
Рядок 7: Рядок 7:
| дата народження = 30.01.1898
| дата народження = 30.01.1898
| місце народження = [[Аллентаун]], [[Пенсильванія]], [[США]]
| місце народження = [[Аллентаун]], [[Пенсильванія]], [[США]]
| дата смерті = 20.04.1987
| дата смерті = 20.03.1987
| місце смерті = [[Віста (Каліфорнія)|Віста]], [[Каліфорнія]], [[США]]
| місце смерті = [[Віста (Каліфорнія)|Віста]], [[Каліфорнія]], [[США]]
| резиденція =
| резиденція =
| громадянство = {{USA}}
| громадянство = {{USA}}
| національність =
| національність =
| галузь = [[Напівпровідник|напівпровідники]]
| галузь = [[Напівпровідник|напівпровідники]]
| заклад = [[Bell Labs]] <br> [[Університет штату Пенсильванія]]
| заклад = [[Bell Labs]] <br/> [[Університет штату Пенсильванія]]
| Alma Mater =
| Alma Mater =
| Посада = <!--інша суспільно значуща посада-->
| Посада = <!--інша суспільно значуща посада-->
| відомий завдяки = відкриття [[p-n-перехід|p-n-переходу]]
| відомий завдяки = відкриття [[p-n-перехід|p-n-переходу]]
| звання =
| звання =
| ступінь =
| ступінь =
| керівник =
| керівник =
| учні =
| учні =
| Батько =
| Батько =
| Мати =
| Мати =
Рядок 28: Рядок 28:
| нагороди =
| нагороди =
| автограф =
| автограф =
| примітки =
| примітки =
| особиста_сторінка =
| особиста_сторінка =
}}
}}


'''Рассел Ш'юмейкер Ол''' ({{lang-en|Russell Shoemaker Ohl}}; 30 січня 1898&nbsp;— 20 березня 1987))&nbsp;— американський інженер, відомим своїми дослідженнями [[напівпровідник]]ів ще до відкриття [[транзистор]]а. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного [[Сонячний елемент|сонячного елементу]] ({{US patent|2402662}})<ref name=Spect07-97>{{cite web|url=http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |title=The origins of the pn junction |publisher=IEEE Spectrum, June 1997, pp.&nbsp;46-51. |author=Riordan M. & Hoddeson L. |accessdate=6 жовтня 2010 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120627121017/http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |archivedate=28 червня 2012 |language=англ}}</ref>.
'''Рассел Ш'юмейкер Ол''' ({{lang-en|Russell Shoemaker Ohl}}; 30 січня 1898&nbsp;— 20 березня 1987))&nbsp;— американський інженер, відомим своїми дослідженнями [[напівпровідник]]ів ще до відкриття [[транзистор]]а. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного [[Сонячний елемент|сонячного елементу]] ({{US patent|2402662}})<ref name=Spect07-97>{{cite web|url=http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |title=The origins of the pn junction |publisher=IEEE Spectrum, June 1997, pp.&nbsp;46-51. |author=Riordan M. & Hoddeson L. |accessdate=6 жовтня 2010 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120627121017/http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |archivedate=28 червня 2012 |language=англ}}</ref>.


У 1939 році Ол відкрив явище [[p-n-перехід|p-n-переходу]]<ref name=p-n-junction>{{cite web|url=http://www.pbs.org/transistor/science/events/pnjunc.html |title=Silicon P-N Junction |publisher=1999, ScienCentral Inc. and [[Американський інститут фізики|American Institute of Physics]] |accessdate=19 жовтня 2015 |language=англ}}</ref>. В той час мало хто знав про [[Легуюча домішка|домішки]] в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили [[електричний струм]]. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий [[напівпровідниковий діод|діод]] працювати. Усі сучасні діоди ([[світлодіод]]и, [[Лазер|лазерні]] і т. д.) є нащадками робіт Ола.
У 1939 році Ол відкрив явище [[p-n-перехід|p-n-переходу]]<ref name=p-n-junction>{{cite web|url=http://www.pbs.org/transistor/science/events/pnjunc.html |title=Silicon P-N Junction |publisher=1999, ScienCentral Inc. and [[Американський інститут фізики|American Institute of Physics]] |accessdate=19 жовтня 2015 |language=англ}}</ref>. В той час мало хто знав про [[Легуюча домішка|домішки]] в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили [[електричний струм]]. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий [[напівпровідниковий діод|діод]] працювати. Усі сучасні діоди ([[світлодіод]]и, [[Лазер|лазерні]] і&nbsp;т.&nbsp;д.) є нащадками робіт Ола.


== Примітки ==
== Примітки ==

Версія за 17:33, 19 жовтня 2015

Рассел Ол
Russell Ohl
Народився30 січня 1898(1898-01-30)
Аллентаун, Пенсильванія, США
Помер20 березня 1987(1987-03-20) (89 років)
Віста, Каліфорнія, США
КраїнаСША США
Діяльністьвинахідник, фізик
Галузьнапівпровідники
ЗакладBell Labs
Університет штату Пенсильванія
Відомий завдяки:відкриття p-n-переходу

Рассел Ш'юмейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомим своїми дослідженнями напівпровідників ще до відкриття транзистора. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного сонячного елементу (U.S. Patent 2 402 662)[1].

У 1939 році Ол відкрив явище p-n-переходу[2]. В той час мало хто знав про домішки в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили електричний струм. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий діод працювати. Усі сучасні діоди (світлодіоди, лазерні і т. д.) є нащадками робіт Ола.

Примітки

  1. ↑ Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (PDF) (англ) . IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. Архів оригіналу (PDF) за 28 червня 2012. Процитовано 6 жовтня 2010.
  2. ↑ Silicon P-N Junction (англ) . 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Процитовано 19 жовтня 2015.

Посилання


науковець Це незавершена стаття про науковця.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Отримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Рассел_Ол&oldid=16923368