Рассел Ол: відмінності між версіями
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
[перевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Створена сторінка: {{Науковець | ім'я = Рассел Ол | ім'я_мовою_оригіналу = Russell Ohl | зображення = | зо... |
Немає опису редагування |
||
Рядок 7: | Рядок 7: | ||
| дата народження = 30.01.1898 |
| дата народження = 30.01.1898 |
||
| місце народження = [[Аллентаун]], [[Пенсильванія]], [[США]] |
| місце народження = [[Аллентаун]], [[Пенсильванія]], [[США]] |
||
| дата смерті = 20. |
| дата смерті = 20.03.1987 |
||
| місце смерті = [[Віста (Каліфорнія)|Віста]], [[Каліфорнія]], [[США]] |
| місце смерті = [[Віста (Каліфорнія)|Віста]], [[Каліфорнія]], [[США]] |
||
| резиденція = |
| резиденція = |
||
| громадянство = {{USA}} |
| громадянство = {{USA}} |
||
| національність = |
| національність = |
||
| галузь = [[Напівпровідник|напівпровідники]] |
| галузь = [[Напівпровідник|напівпровідники]] |
||
| заклад = [[Bell Labs]] <br> [[Університет штату Пенсильванія]] |
| заклад = [[Bell Labs]] <br/> [[Університет штату Пенсильванія]] |
||
| Alma Mater = |
| Alma Mater = |
||
| Посада = <!--інша суспільно значуща посада--> |
| Посада = <!--інша суспільно значуща посада--> |
||
| відомий завдяки = відкриття [[p-n-перехід|p-n-переходу]] |
| відомий завдяки = відкриття [[p-n-перехід|p-n-переходу]] |
||
| звання = |
| звання = |
||
| ступінь = |
| ступінь = |
||
| керівник = |
| керівник = |
||
| учні = |
| учні = |
||
| Батько = |
| Батько = |
||
| Мати = |
| Мати = |
||
Рядок 28: | Рядок 28: | ||
| нагороди = |
| нагороди = |
||
| автограф = |
| автограф = |
||
| примітки = |
| примітки = |
||
| особиста_сторінка = |
| особиста_сторінка = |
||
}} |
}} |
||
'''Рассел Ш'юмейкер Ол''' ({{lang-en|Russell Shoemaker Ohl}}; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомим своїми дослідженнями [[напівпровідник]]ів ще до відкриття [[транзистор]]а. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного [[Сонячний елемент|сонячного елементу]] ({{US patent|2402662}})<ref name=Spect07-97>{{cite web|url=http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |title=The origins of the pn junction |publisher=IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. |author=Riordan M. & Hoddeson L. |accessdate=6 жовтня 2010 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120627121017/http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |archivedate=28 червня 2012 |language=англ}}</ref>. |
'''Рассел Ш'юмейкер Ол''' ({{lang-en|Russell Shoemaker Ohl}}; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомим своїми дослідженнями [[напівпровідник]]ів ще до відкриття [[транзистор]]а. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного [[Сонячний елемент|сонячного елементу]] ({{US patent|2402662}})<ref name=Spect07-97>{{cite web|url=http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |title=The origins of the pn junction |publisher=IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. |author=Riordan M. & Hoddeson L. |accessdate=6 жовтня 2010 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120627121017/http://laimbio08.escet.urjc.es/docencia/FOTONICA/origins_p_n_junction_IEEE_spectrum_34_1997.pdf |archivedate=28 червня 2012 |language=англ}}</ref>. |
||
У 1939 році Ол відкрив явище [[p-n-перехід|p-n-переходу]]<ref name=p-n-junction>{{cite web|url=http://www.pbs.org/transistor/science/events/pnjunc.html |title=Silicon P-N Junction |publisher=1999, ScienCentral Inc. and [[Американський інститут фізики|American Institute of Physics]] |accessdate=19 жовтня 2015 |language=англ}}</ref>. В той час мало хто знав про [[Легуюча домішка|домішки]] в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили [[електричний струм]]. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий [[напівпровідниковий діод|діод]] працювати. Усі сучасні діоди ([[світлодіод]]и, [[Лазер|лазерні]] і |
У 1939 році Ол відкрив явище [[p-n-перехід|p-n-переходу]]<ref name=p-n-junction>{{cite web|url=http://www.pbs.org/transistor/science/events/pnjunc.html |title=Silicon P-N Junction |publisher=1999, ScienCentral Inc. and [[Американський інститут фізики|American Institute of Physics]] |accessdate=19 жовтня 2015 |language=англ}}</ref>. В той час мало хто знав про [[Легуюча домішка|домішки]] в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили [[електричний струм]]. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий [[напівпровідниковий діод|діод]] працювати. Усі сучасні діоди ([[світлодіод]]и, [[Лазер|лазерні]] і т. д.) є нащадками робіт Ола. |
||
== Примітки == |
== Примітки == |
Версія за 17:33, 19 жовтня 2015
Рассел Ол | |
---|---|
Russell Ohl | |
Народився | 30 січня 1898 Аллентаун, Пенсильванія, США |
Помер | 20 березня 1987 (89 років) Віста, Каліфорнія, США |
Країна | США |
Діяльність | винахідник, фізик |
Галузь | напівпровідники |
Заклад | Bell Labs Університет штату Пенсильванія |
Відомий завдяки: | відкриття p-n-переходу |
Рассел Ш'юмейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомим своїми дослідженнями напівпровідників ще до відкриття транзистора. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного сонячного елементу (U.S. Patent 2 402 662)[1].
У 1939 році Ол відкрив явище p-n-переходу[2]. В той час мало хто знав про домішки в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили електричний струм. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий діод працювати. Усі сучасні діоди (світлодіоди, лазерні і т. д.) є нащадками робіт Ола.
Примітки
- ↑ Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (PDF) (англ) . IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. Архів оригіналу (PDF) за 28 червня 2012. Процитовано 6 жовтня 2010.
- ↑ Silicon P-N Junction (англ) . 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Процитовано 19 жовтня 2015.
Посилання
Це незавершена стаття про науковця. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |