An Entity of Type: WikicatSemiconductorMaterials, from Named Graph: http://dbpedia.org, within Data Space: dbpedia.org

Porous silicon (abbreviated as "PS" or "pSi") is a form of the chemical element silicon that has introduced nanopores in its microstructure, rendering a large surface to volume ratio in the order of 500 m2/cm3.

Property Value
dbo:abstract
  • Porézní křemík (dále jen por-Si z anglického porous silicon) je nanokrystalický materiál. Je tvořen tenkými zvlněnými křemíkovými sloupci s průměrem menším než 3 nm, které mají krystalickou strukturua jsou obklopeny vrstvou SiO2 (oxid křemičitý). Poprvé byl vytvořen r. 1956 A. Uhlířem v Bellových laboratořích (USA) při zkoumání elektroleštění křemíku, ale až roku 1990 zjistil, že por-Si účinně emituje světlo ve viditelné oblasti- na rozdíl od běžného krystalického křemíku, který světlo prakticky vůbec neemituje. Započala tím dodnes trvající éra pečlivého zkoumání vlastností por-Si. Jeho hlavní výhodou je poměrně snadná a technicky nenáročná výroba, naopak nevýhodou je malá chemická stabilita, rychlá fotodegradace, velká disperze poloměrů nanokrystalů a špatná chemická kontrolovatelnost. (cs)
  • السيليكون المسامي أو الكُثاب المسامي (بالإنجليزية: Porous Silicon)‏ هو شكل من العنصر الكيميائي السيليكون، ويحتوي على مسامات دقيقة وكثيفة. الأمر الذي يجعل نسبة المساحة السطحية إلى الحجم عالية جدا وبمعدل 500 م2 لكل سم3. هذه الخاصية جذبت اهتمام العلماء لهذه المادة لصناعة مجسات كيميائية وحيوية شديدة الحسية. (ar)
  • Poröses Silicium (abgekürzt pSi) ist eine Form des chemischen Elements Silicium. Die namengebende Besonderheit besteht in der nanoporösen Struktur, das heißt, die Poren haben eine Größe im Bereich von 10−9 bis 10−7 m. Hieraus resultiert ein besonders hohes Oberflächen-Volumen-Verhältnis im Bereich von bis zu 500 m2/cm3. Auf Grund seiner speziellen optischen und elektrischen Eigenschaften ist poröses Silicium für die Herstellung von Solarzellen, sowie von Akkus geeignet. (de)
  • Le silicium est majoritairement connu sous sa forme monocristalline et polycristalline. Depuis quelques décennies, un nouveau type de morphologie s'est développé : le silicium poreux (SiP). Cette morphologie a été constatée pour la première fois dans les années 50 par Uhlir et Turner. Le SiP est un matériau nanostructuré qui possède une importante surface spécifique (pouvant aller jusqu'à 1000 voire 1500 m2.cm-3). (fr)
  • Porous silicon (abbreviated as "PS" or "pSi") is a form of the chemical element silicon that has introduced nanopores in its microstructure, rendering a large surface to volume ratio in the order of 500 m2/cm3. (en)
  • Поруватий кремній — наноматеріал, виготовлений з моно або полікристалічного кремнію шляхом електрохімічного травлення. Найважливішою характеристикою пористого кремнію, яка визначає більшість його фізичних параметрів, є ступінь пористості або пористість (П). Вона визначається формулою: П = де ρSi і ρpor-Si — щільності монокристалічного та пористого кремнію відповідно. В даний час (2005 рік) значення пористості можуть варіюватися від 5 до 95 %. Ступінь пористості зразка визначається зазвичай гравіметричним методом (зважуванням). Визначення пористості цим методом проводиться в три етапи: 1. * Зважування монокристалічної кремнієвої пластини; 2. * Витравлювання на ній пористого шару і зважування отриманого зразка; 3. * Видалення пористого шару шляхом стравлювання його з кремнієвої підкладки та повторне зважування зразка. Похибка гравіметричного методу при малих товщинах (до 10 мкм) пористого шару і великих пористостях (більше 70 %) може досягати 15-20 %. Більше того, використання такого контролю ступеня пористості призводить до руйнування зразка, так як пористий шар в процесі вимірювань з нього віддаляється. (uk)
  • Пористый кремний (por-Si или ПК) — кремний, испещрённый порами, то есть имеющий пористую структуру. (ru)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageID
  • 2713504 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 22393 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 1111476383 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
dbp:wikiPageUsesTemplate
dct:subject
gold:hypernym
rdf:type
rdfs:comment
  • السيليكون المسامي أو الكُثاب المسامي (بالإنجليزية: Porous Silicon)‏ هو شكل من العنصر الكيميائي السيليكون، ويحتوي على مسامات دقيقة وكثيفة. الأمر الذي يجعل نسبة المساحة السطحية إلى الحجم عالية جدا وبمعدل 500 م2 لكل سم3. هذه الخاصية جذبت اهتمام العلماء لهذه المادة لصناعة مجسات كيميائية وحيوية شديدة الحسية. (ar)
  • Poröses Silicium (abgekürzt pSi) ist eine Form des chemischen Elements Silicium. Die namengebende Besonderheit besteht in der nanoporösen Struktur, das heißt, die Poren haben eine Größe im Bereich von 10−9 bis 10−7 m. Hieraus resultiert ein besonders hohes Oberflächen-Volumen-Verhältnis im Bereich von bis zu 500 m2/cm3. Auf Grund seiner speziellen optischen und elektrischen Eigenschaften ist poröses Silicium für die Herstellung von Solarzellen, sowie von Akkus geeignet. (de)
  • Le silicium est majoritairement connu sous sa forme monocristalline et polycristalline. Depuis quelques décennies, un nouveau type de morphologie s'est développé : le silicium poreux (SiP). Cette morphologie a été constatée pour la première fois dans les années 50 par Uhlir et Turner. Le SiP est un matériau nanostructuré qui possède une importante surface spécifique (pouvant aller jusqu'à 1000 voire 1500 m2.cm-3). (fr)
  • Porous silicon (abbreviated as "PS" or "pSi") is a form of the chemical element silicon that has introduced nanopores in its microstructure, rendering a large surface to volume ratio in the order of 500 m2/cm3. (en)
  • Пористый кремний (por-Si или ПК) — кремний, испещрённый порами, то есть имеющий пористую структуру. (ru)
  • Porézní křemík (dále jen por-Si z anglického porous silicon) je nanokrystalický materiál. Je tvořen tenkými zvlněnými křemíkovými sloupci s průměrem menším než 3 nm, které mají krystalickou strukturua jsou obklopeny vrstvou SiO2 (oxid křemičitý). (cs)
  • Поруватий кремній — наноматеріал, виготовлений з моно або полікристалічного кремнію шляхом електрохімічного травлення. Найважливішою характеристикою пористого кремнію, яка визначає більшість його фізичних параметрів, є ступінь пористості або пористість (П). Вона визначається формулою: П = де ρSi і ρpor-Si — щільності монокристалічного та пористого кремнію відповідно. В даний час (2005 рік) значення пористості можуть варіюватися від 5 до 95 %. Ступінь пористості зразка визначається зазвичай гравіметричним методом (зважуванням). Визначення пористості цим методом проводиться в три етапи: (uk)
rdfs:label
  • سيليكون مسامي (ar)
  • Porézní křemík (cs)
  • Poröses Silicium (de)
  • Silicium poreux (fr)
  • Porous silicon (en)
  • Пористый кремний (ru)
  • Поруватий кремній (uk)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:academicDiscipline of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is dbp:fields of
is foaf:primaryTopic of
Powered by OpenLink Virtuoso    This material is Open Knowledge     W3C Semantic Web Technology     This material is Open Knowledge    Valid XHTML + RDFa
This content was extracted from Wikipedia and is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License