Ван Сицзи

В этом китайском имени фамилия (Ван) стоит перед личным именем.

Ван Сицзи
кит. упр. 王希季, пиньинь Wáng Xījì
Ван Сицзи в 1950 году
Дата рождения	26 июля 1921(1921-07-26) (103 года)
Место рождения	Куньмин, Юньнань, Китайская Республика (Тайвань)
Страна	Китай
Род деятельности	физик, военный бортинженер
Научная сфера	космическая техника
Место работы	Шанхайский университет транспорта Шанхайский университет Даляньский технологический университет
Альма-матер	Национальный юго-западный объединенный университет
Учёное звание	Действительный член Академии наук КНР
Автограф
Медиафайлы на Викискладе

Ван Сицзи́ (кит. упр. 王希季, пиньинь Wáng Xījì; род. 26 июля 1921 года) — китайский учёный из народности бай, специалист по возвращаемой космической технике. Участник китайской программы «Две бомбы и спутник» и обладатель соответствующей награды. Действительный член Академии наук КНР по отделению техники и технологий (с 1993).

Биография и карьера

Получил высшее образование на инженерном факультете Национального юго-западного объединенного университета, закончив его в 1942 году. В 1948-1950 годах учился в Политехническом университете Виргинии (США), закончив его со степенью магистра аэронавтики.

После возвращения в КНР преподавал в Даляньском технологическом университете и Шанхайском университете транспорта. Занимал посты главного инженера Шанхайского института механического и электрического проектирования, директора Пекинского института космических электромеханических исследований, вице-президента Китайского научно-исследовательского института космических технологий, директором Научно-технического комитета, главного инженера департамента аэрокосмической промышленности, главного конструктора национального проекта возвращаемого спутника.